Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W / Encapsulado T-40E
Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W / Encapsulado T-40E
Poco inventario: 2
- Alta eficiencia en amplificación RF de potencia
- Operación estable hasta 30 MHz
- Diseño epitaxial de silicio para baja distorsión
- Encapsulado T-40E para disipación térmica optimizada
- Tensión de colector 13.5 Vcc para circuitos robustos
- Ideal para etapas de salida en transmisores
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Modelo: 2SC2097
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Marca: SYSCOM
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Garantía: 3 años
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Código SAT: 32111600
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Dimensiones: Alto: 4 cm, Largo: 2 cm, Ancho: 3 cm
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Ficha Técnica
Transistor NPN Epitaxial de Silicio para RF de Potencia
Este transistor NPN epitaxial de silicio está diseñado para aplicaciones de amplificación de radiofrecuencia de potencia con alta eficiencia energética. Opera a una frecuencia máxima de 30 MHz con estabilidad térmica y eléctrica garantizada por su estructura epitaxial de silicio. La tensión de colector de 13.5 Vcc permite integrarlo en etapas de salida de transmisores y amplificadores de RF que requieren manejo de señales de alta potencia. Su encapsulado T-40E proporciona disipación térmica eficiente para operación continua en entornos industriales exigentes.
Características Principales
- Transistor NPN epitaxial de silicio para baja distorsión armónica
- Frecuencia máxima de operación: 30 MHz
- Tensión de colector: 13.5 Vcc
- Potencia máxima de salida: 70 W
- Encapsulado formato T-40E para montaje industrial
- Optimizado para amplificación RF de potencia
Especificaciones Técnicas
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Preguntas Frecuentes
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